Micron G11, 400'ü aşkın katmanla NAND yoğunluğunu ikiye katlayacak
Kısaca
Micron'un G11 nesli, 400'ü aşan NAND katmanı ve yeni üretim yöntemiyle yoğunluğu iki katına çıkarmayı hedefliyor; seri üretim 2027'nin ikinci yarısında planlanıyor.
Ne oldu?
- G11 nesli, 400'ü aşkın NAND katmanı ve yeni üretim yöntemiyle yoğunluğu ikiye katlamayı hedefliyor.
- Seri üretimin 2027'nin ikinci yarısında başlaması bekleniyor.
Neden önemli?
NAND yoğunluğundaki bu sıçrama SSD ve veri merkezi depolamada kapasite-maliyet dengesini değiştirebilir; depolama yoğun kullanan e-ticaret ve bulut altyapıları maliyet avantajı bekleyebilir.
Micron hakkında diğer haberler
Micron, 400 katmanlı yeni NAND bellek geliştiriyor: Yoğunluk ikiye katlanacak
Micron, 2027'nin ikinci yarısında seri üretime geçmeyi planladığı 400 katmanlı 3D NAND belleklerle depolama yoğunluğunu iki katına çıkarıp I/O performansını yüzde 50 artırmayı hedefliyor.
Çip üreticisi Micron'da kısmi anlaşma, grev riski sürüyor
Tayvan'daki en büyük üretim merkezinde sendika ile anlaşmaya varıldı; ancak 22 Ekim'de planlanan grev ve yüzde 15 kâr payı talebi gerilimi sürdürüyor.
Micron, Taichung tesisindeki işçi sendikasıyla çok konulu anlaşma imzaladı
Micron Memory Taiwan, Taichung operasyonlarında çalışanları temsil eden sendikayla detay verilmeyen bir anlaşma imzaladı. Anlaşma, şirketin Tayvan'daki en büyük tesisindeki gerginliği sonlandırdı.
Micron 512 GB DDR5 RAM: Tek Modülde 9.200 MT/s ve 16 Watt Tüketim
Micron, yapay zeka sunucuları ve veri merkezleri için 512 GB kapasiteli DDR5 RDIMM belleği tanıttı.
