Micron, 400 katmanlı yeni NAND bellek geliştiriyor: Yoğunluk ikiye katlanacak
Kısaca
Micron, 2027'nin ikinci yarısında seri üretime geçmeyi planladığı 400 katmanlı 3D NAND belleklerle depolama yoğunluğunu iki katına çıkarıp I/O performansını yüzde 50 artırmayı hedefliyor.
Ne oldu?
- Micron, depolama yoğunluğunu ikiye katlayan 400 katmanlı yeni nesil 3D NAND bellekler geliştiriyor.
- Seri üretim için 2027'nin ikinci yarısı hedefleniyor; I/O performansında yüzde 50 artış öngörülüyor.
Neden önemli?
Yoğunluğun iki katına çıkması SSD'lerde kapasite ve maliyet dengesini değiştirebileceğinden, veri merkezi ve e-ticaret altyapılarında depolama planlamasını doğrudan etkileyebilir.
Micron hakkında diğer haberler
Çip üreticisi Micron'da kısmi anlaşma, grev riski sürüyor
Tayvan'daki en büyük üretim merkezinde sendika ile anlaşmaya varıldı; ancak 22 Ekim'de planlanan grev ve yüzde 15 kâr payı talebi gerilimi sürdürüyor.
Micron, Taichung tesisindeki işçi sendikasıyla çok konulu anlaşma imzaladı
Micron Memory Taiwan, Taichung operasyonlarında çalışanları temsil eden sendikayla detay verilmeyen bir anlaşma imzaladı. Anlaşma, şirketin Tayvan'daki en büyük tesisindeki gerginliği sonlandırdı.
Micron 512 GB DDR5 RAM: Tek Modülde 9.200 MT/s ve 16 Watt Tüketim
Micron, yapay zeka sunucuları ve veri merkezleri için 512 GB kapasiteli DDR5 RDIMM belleği tanıttı.
Micron, Çinli YMTC'yi mühendis çalma ve patent suistimaliyle suçlayarak ABD'de dava açtı
Şirkete göre YMTC'nin bazı patentleri aslında Micron'a ait olabilir; dava bu ay ABD mahkemesinde dosyalandı.
